KLA P-17 探針式臺階儀
優(yōu)尼康科技提供的KLA P17探針式表面輪廓儀（臺階儀），是第八代臺式探針輪廓儀，凝結(jié)逾40年表面量測經(jīng)驗。臺階高度測量范圍納米級至1000μm，恒力控制0.03–50mg，掃描范圍可達(dá)200mm無需圖像拼接。UltraLite?傳感器結(jié)合超平掃描樣品臺實現(xiàn)出色測量穩(wěn)定性，配備500萬像素高分辨率彩色相機(jī)和光學(xué)變焦功能。系統(tǒng)支持對臺階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測量，具備圖形識別、排序和特征檢測全自動測量功能，支持SECS/GEM通信協(xié)議。適用于半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體、LED、太陽能、MEMS、數(shù)據(jù)存儲、汽車及醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)的研發(fā)與生產(chǎn)環(huán)節(jié)。優(yōu)尼康科技提供專業(yè)技術(shù)支持。
KLA P-17 探針式臺階儀產(chǎn)品介紹：
KLA P-17 探針式臺階儀是P系列探針式臺階儀的產(chǎn)品。該系統(tǒng)具備可編程掃描平臺、低噪聲電子分辨率，垂直范圍內(nèi)實現(xiàn)高分辨率掃描，能夠覆蓋樣品表面整個區(qū)域。
KLA P-17 探針式臺階儀的優(yōu)點包括200mm掃描平臺，可以在無需拼接的情況下測量整個基片。UltraLite傳感器組件結(jié)合了線性垂直測量和恒定力控制，可測量各種材料和地形。頂視圖和側(cè)視圖光學(xué)系統(tǒng)可實現(xiàn)簡單的位置教學(xué)、圖案識別，并在測量過程中對探針進(jìn)行可視化。
KLA P-17 探針式臺階儀將自動化與可靠性相結(jié)合，適用于無需晶圓處理器的生產(chǎn)應(yīng)用。這些應(yīng)用包括用于半導(dǎo)體、功率器件、無線技術(shù)、LED和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的AlTiC、GaAs、Si、SiC和藍(lán)寶石晶圓的臺階高度、粗糙度和應(yīng)力測量。
KLA P-17 探針式臺階儀產(chǎn)品特點：
KLA P-17 探針式臺階儀測量原理：
KLA P-17 探針式臺階儀采用了LVDC 傳感器技術(shù)，LVDC傳感器利用電容的變化跟蹤表面地形。電容變化是由在兩個電容板之間移動的薄金屬傳感器葉片的運(yùn)動引起的。在探針跟蹤表面時，傳感器葉片的位置會發(fā)生變化，從而導(dǎo)致電容的變化，然后將電容變化轉(zhuǎn)換為地形信號。LVDC 設(shè)計的優(yōu)點是質(zhì)量小，葉片線性運(yùn)動，從而將滯后和摩擦降到很低。這種設(shè)計能夠在整個垂直范圍內(nèi)進(jìn)行精確、穩(wěn)定和高分辨率的測量 。
KLA P-17 探針式臺階儀主要應(yīng)用：
表面形貌的高分辨率二維和三維掃描 | 從納米到1mm的臺階高度 |
光滑粗糙紋理的粗糙度和波紋度 | 弓形和曲率半徑 |
用Stoney方程計算薄膜應(yīng)力 | 利用KLARF文件進(jìn)行缺陷描述及缺陷評審應(yīng)用 |
KLA P-17 探針式臺階產(chǎn)品應(yīng)用：
臺階高度
根據(jù)傳感器組合動態(tài)范圍，測量從納米到1mm的二維和三維臺階高度。量化在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、自旋涂層、CMP和其他過程中沉積或除去的材料。
紋理：粗糙度和波紋度
測量二維和三維紋理，同時量化樣品的粗糙度和波紋度。利用軟件濾波器對粗糙度和波紋分量進(jìn)行判別，并計算出均方根粗糙度等參數(shù)。
形式：弓和形狀
測量表面的2D形狀或弓，包括在器件制造過程中由于層應(yīng)力失配而產(chǎn)生的晶圓弓，例如在半導(dǎo)體或復(fù)合半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中多層沉積。測量曲面結(jié)構(gòu)的高度和半徑，如透鏡。
薄膜應(yīng)力
測量在具有多個工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件制造過程中引起的2D和3D應(yīng)力。2D應(yīng)力模式使用橫跨樣品直徑的單次掃描，而3D應(yīng)力模式在2D掃描之間旋轉(zhuǎn)θ級以測量整個樣品表面。
缺陷檢測
測量缺陷的形貌，如劃痕的深度。從缺陷檢查工具導(dǎo)入KLARF位置坐標(biāo)，以便自動導(dǎo)航到特定的缺陷。使用缺陷評審應(yīng)用程序選擇用于2D或3D測量的單個缺陷。
KLA P-17 探針式臺階行業(yè)應(yīng)用：
半導(dǎo)體和復(fù)合半導(dǎo)體
測量前端到后端和包裝過程的表面形貌。這些應(yīng)用包括光致抗蝕劑厚度、蝕刻深度、濺射高度、CMP后形貌、粗糙度、樣品彎曲和應(yīng)力的測量。使用模式識別和自動分析優(yōu)化測量精度，以完善生產(chǎn)過程控制。
LED和電源設(shè)備
測量圖案化工藝的臺階高度，包括MESA臺階高度、ITO臺階高度和接觸深度。測量可能導(dǎo)致裂紋和缺陷的襯底滾落、彎曲、外延粗糙度和外延薄膜應(yīng)力。使用缺陷審查應(yīng)用程序來區(qū)分滋擾或缺陷。
MEMS和光學(xué)電子
測量宏觀和微觀透鏡的臺階高度、曲率半徑和3D地形。測量波導(dǎo)和密集波分復(fù)用（DWDM）結(jié)構(gòu)的深度和表面粗糙度。
數(shù)據(jù)存儲
描述薄膜頭晶片和滑塊、硬盤、光學(xué)和磁性介質(zhì)的特性。晶片應(yīng)用包括電鍍厚度、線圈高度和CMP平面度?；瑝K應(yīng)用包括極性凹陷分析、空氣軸承腔測量和激光紋理凸塊表征，包括凸塊高度、寬度和深度分析。
通用應(yīng)用
使用KLA P-17 探針式表面輪廓儀進(jìn)行生產(chǎn)或研發(fā)。例如，測量織物安全特性或與吸收性相關(guān)的粗糙度。生物醫(yī)學(xué)示例包括導(dǎo)管表面紋理、醫(yī)用支架的測量消費(fèi)者電子應(yīng)用包括觸摸屏地形測量或玻璃屏幕上薄膜臺階高度測量。
KLA P-17 探針式臺階儀測量圖：
