KLA R54四探針電阻率測(cè)量?jī)x，集成四點(diǎn)探針與電渦流雙模檢測(cè)，量程覆蓋10個(gè)數(shù)量級(jí)，重復(fù)性優(yōu)于0.02%。支持300mm晶圓全自動(dòng)Mapping，廣泛用于半導(dǎo)體、光伏、顯示行業(yè)，提供免費(fèi)樣品測(cè)試。
接觸式四點(diǎn)探針(4PP) + 非接觸式電渦流(EC)雙模技術(shù) | 全自動(dòng)電阻率Mapping系統(tǒng)
KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x 采用四點(diǎn)探針(4PP)和非接觸式電渦流(EC)雙模技術(shù)，測(cè)量范圍覆蓋10個(gè)數(shù)量級(jí)（低至1mΩ/sq），4PP重復(fù)性優(yōu)于0.02%。設(shè)備配置邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正與探針間距誤差補(bǔ)償功能，封閉式外殼適配光敏與環(huán)境敏感樣品。
支持200mm/300mm晶圓或A4方形樣品全自動(dòng)測(cè)繪，RSMapper軟件支持矩形、線性、極坐標(biāo)及自定義測(cè)試點(diǎn)模式，可生成金屬薄膜均勻性、離子注入摻雜與退火表征、薄膜厚度/電阻率等二維及三維分布圖譜。適用于半導(dǎo)體晶圓、化合物半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池（包括TOPCon）、LED、平板/VR顯示、先進(jìn)封裝、印刷電路板及柔性可穿戴電子等行業(yè)。
接觸式四點(diǎn)探針與非接觸式電渦流，覆蓋10個(gè)數(shù)量級(jí)測(cè)量范圍，靈活應(yīng)對(duì)不同導(dǎo)電薄膜材料。
內(nèi)置邊界效應(yīng)補(bǔ)償和探針間距誤差校正，確保邊緣區(qū)域測(cè)量準(zhǔn)確性。
支持300mm晶圓或A4方形樣品，高精度XY平臺(tái)，自動(dòng)EC探針高度誤差校正。
封閉系統(tǒng)便于測(cè)量光敏或者環(huán)境敏感樣品，適用于光刻、太陽(yáng)能電池等敏感工藝。
4PP測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性<0.02%，EC重復(fù)性<0.2%，兼容KLA全系列薄膜電阻探針。
直觀界面，支持矩形/線性/極坐標(biāo)/自定義點(diǎn)陣，2D/3D電阻率分布圖實(shí)時(shí)生成。
| 產(chǎn)品型號(hào) | R54 (4PP/EC雙配置) | 品牌 | KLA |
| 測(cè)量技術(shù) | 四點(diǎn)探針(4PP) / 電渦流(EC) | 測(cè)量范圍 | 跨越10個(gè)數(shù)量級(jí) (低至1mΩ/sq) |
| 4PP重復(fù)性 | <0.02% | EC重復(fù)性 | <0.2% |
| XY平臺(tái)行程 | 支持200mm/300mm晶圓 或 A4方形樣品 | Z軸行程 | 15mm (自動(dòng)) |
| 樣品臺(tái)最大承重 | 2.5kg | 樣品最大高度 | 15mm |
| 測(cè)繪模式 | 矩形、線性、極坐標(biāo)、自定義點(diǎn)陣 | ||
| 軟件 | RSMapper (數(shù)據(jù)采集/分析/2D-3D可視化) | ||
| 探針兼容性 | 兼容KLA所有薄膜電阻測(cè)量探針 | ||
| 特殊功能 | 封閉式外殼(光敏保護(hù))、自動(dòng)EC探針高度誤差校正 | ||
| 更多定制配置請(qǐng)聯(lián)系優(yōu)尼康科技 | |||
4PP/EC均可測(cè)量金屬薄膜電阻均勻性，兩者高度相關(guān)。EC推薦用于較厚高導(dǎo)電金屬膜，4PP適用于較薄金屬膜(>10Ω/sq)。電阻分布圖表征薄膜均勻性及工藝波動(dòng)。
4PP法是離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)。熱退火后測(cè)試注入分布，識(shí)別熱點(diǎn)/冷點(diǎn)及注入劑量變化。
通過(guò)輸入材料電阻率可計(jì)算膜厚分布；或輸入膜厚數(shù)據(jù)計(jì)算電阻率分布，靈活適配不同分析需求。
RSMapper軟件集成數(shù)據(jù)采集與強(qiáng)大分析功能，直觀可視化界面，輕松設(shè)置測(cè)量點(diǎn)，支持離線使用。
典型薄膜電阻分布圖及Mapping可視化結(jié)果
“KLA R54的雙模技術(shù)極大簡(jiǎn)化了我們晶圓廠金屬膜電阻的測(cè)量流程。EC非接觸方式保護(hù)了軟質(zhì)金屬層，4PP則用于高精度表征，封閉外殼非常適合光刻段的環(huán)境敏感樣品?！?/p>
“用于太陽(yáng)能電池TOPCon工藝的ITO和銀漿電阻均勻性監(jiān)控，R54的邊界效應(yīng)校正讓邊緣測(cè)量數(shù)據(jù)更可靠，300mm平臺(tái)滿足大尺寸硅片需求。”
4PP適用于較薄金屬膜(>10Ω/sq)和離子注入層，精度更高；EC適用于較厚高導(dǎo)電金屬膜、軟質(zhì)表面或易氧化材料，非接觸式測(cè)量不損傷樣品。兩種模式結(jié)果高度相關(guān)，可互為驗(yàn)證。
可配置容納300mm圓形晶圓或A4方形樣品（210mm×297mm），XY平臺(tái)自動(dòng)測(cè)繪，Z軸行程15mm，最大樣品高度15mm。
封閉系統(tǒng)可有效隔離環(huán)境光和環(huán)境敏感因素，適用于光敏材料（如光刻膠、太陽(yáng)能電池）的測(cè)量，避免樣品性能受外界影響。
可以。RSMapper軟件支持矩形、線性、極坐標(biāo)等多種預(yù)設(shè)模式，也支持用戶自定義無(wú)限數(shù)量測(cè)量點(diǎn)，數(shù)分鐘內(nèi)完成配方建立。
可以間接測(cè)量。輸入已知材料的電阻率，R54可通過(guò)電阻值計(jì)算薄膜厚度分布；反之輸入厚度可計(jì)算電阻率分布，適用于導(dǎo)電薄膜的厚度監(jiān)控。
不確定您的導(dǎo)電薄膜樣品適合4PP還是EC測(cè)量？我們提供免費(fèi)樣品測(cè)試服務(wù)！寄送樣品，專業(yè)工程師將使用KLA R54為您進(jìn)行薄膜電阻/方阻測(cè)試，并提供詳細(xì)測(cè)量報(bào)告和方案建議。
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