KLA R50 四探針薄膜方阻測(cè)試儀 | 接觸式/非接觸式雙模電阻測(cè)量系統(tǒng)KLA R50 四探針薄膜方阻測(cè)試儀
接觸式四點(diǎn)探針(4PP) + 非接觸式電渦流(EC)雙模技術(shù) | 全自動(dòng)Mapping電阻率測(cè)量系統(tǒng)
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測(cè)量范圍(數(shù)量級(jí))
產(chǎn)品介紹
KLA R50 四探針薄膜方阻測(cè)試儀 提供接觸式四點(diǎn)探針(4PP)與非接觸式電渦流(EC)兩種測(cè)量方案，測(cè)量范圍跨越10個(gè)數(shù)量級(jí)，4PP精度高達(dá)±0.2%。KLA在R50上研發(fā)了雙模技術(shù)，配置邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能，兼容KLA所有薄膜電阻測(cè)量探針。
200mm XY電動(dòng)平臺(tái)支持矩形、線性、極坐標(biāo)及自定義等多種測(cè)繪模式，RSMapper軟件靈活易用。適用于半導(dǎo)體晶圓制造、化合物半導(dǎo)體、平板和VR顯示、先進(jìn)封裝、太陽(yáng)能電池、印刷電路、穿戴設(shè)備及導(dǎo)電材料等行業(yè)。
行業(yè)標(biāo)桿KLA R50 是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體行業(yè)薄膜電阻測(cè)量的理想工具，從半導(dǎo)體制造到柔性電子產(chǎn)品，滿(mǎn)足各類(lèi)導(dǎo)電薄膜的電阻監(jiān)控與厚度測(cè)量需求。
核心優(yōu)勢(shì)
雙模技術(shù)接觸式四點(diǎn)探針(4PP) + 非接觸式電渦流(EC)，覆蓋10個(gè)數(shù)量級(jí)測(cè)量范圍，靈活應(yīng)對(duì)不同導(dǎo)電薄膜材料。
邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正內(nèi)置邊界效應(yīng)補(bǔ)償和探針間距誤差校正，確保邊緣區(qū)域測(cè)量準(zhǔn)確性。
全自動(dòng)Mapping200mm XY電動(dòng)平臺(tái)，支持矩形、線性、極坐標(biāo)及自定義測(cè)繪模式，RSMapper軟件可視化電阻分布圖。
高精度測(cè)量4PP精度±0.2%，EC精度±1%，測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性?xún)?yōu)于0.02%。
靈活探針兼容兼容KLA全系列薄膜電阻測(cè)量探針，適配不同表面材料和工藝需求。
典型應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體晶圓
化合物半導(dǎo)體
平板/VR顯示
先進(jìn)封裝
太陽(yáng)能電池
印刷電路
穿戴設(shè)備
導(dǎo)電材料
離子注入表征
金屬薄膜均勻性
薄膜厚度/電阻率
LED/OLED
測(cè)量原理
四點(diǎn)探針 (4PP)
四個(gè)導(dǎo)電探針以可控力接觸導(dǎo)電層表面，外側(cè)探針施加電流，內(nèi)側(cè)探針測(cè)量電壓。導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于探針間距的1/2。KLA R50采用雙模技術(shù)，支持間隔探針電壓測(cè)量，配置邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償，適用于大多數(shù)導(dǎo)電薄膜或離子注入層。
電渦流 (EC)
非接觸式測(cè)量技術(shù)。通過(guò)線圈施加時(shí)變電流產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，在導(dǎo)電表面感應(yīng)出渦流，渦流產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)與探針線圈耦合，信號(hào)變化與樣品電阻成比例。KLA獨(dú)特的EC技術(shù)可動(dòng)態(tài)調(diào)整每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的探頭高度，不受探頭尺寸或表面氧化影響，適合軟質(zhì)或不適用4PP的樣品。
產(chǎn)品參數(shù)
| 產(chǎn)品型號(hào) | R50 (4PP/EC雙配置) | 品牌 | KLA |
| 測(cè)量技術(shù) | 四點(diǎn)探針(4PP) / 電渦流(EC) | 測(cè)量范圍 | 跨越10個(gè)數(shù)量級(jí) |
| 4PP精度 | ±0.2% | EC精度 | ±1% |
| 測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性(4PP) | <0.02% | 測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性(EC) | <0.2% |
| XY電動(dòng)平臺(tái) | 200mm × 200mm | Z軸行程 | 60mm (自動(dòng)) |
| 樣品臺(tái)最大承重 | 2.5kg | 傾斜樣品臺(tái) | ±5° 手動(dòng) |
| 測(cè)繪模式 | 矩形、線性、極坐標(biāo)、自定義點(diǎn)陣 |
| 軟件 | RSMapper (數(shù)據(jù)采集/分析/可視化) |
| 探針兼容性 | 兼容KLA所有薄膜電阻測(cè)量探針 |
| 更多定制配置請(qǐng)聯(lián)系優(yōu)尼康科技 |
產(chǎn)品應(yīng)用詳解
金屬薄膜均勻性4PP/EC均可測(cè)量金屬薄膜電阻均勻性，兩者高度相關(guān)。EC推薦用于較厚高導(dǎo)電金屬膜，4PP適用于較薄金屬膜(>10Ω/sq)。電阻分布圖表征薄膜均勻性及工藝波動(dòng)。
離子注入表征4PP法是離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)。熱退火后測(cè)試注入分布，識(shí)別熱點(diǎn)/冷點(diǎn)及注入劑量變化。
薄膜厚度/電阻率通過(guò)輸入材料電阻率可計(jì)算膜厚分布；或輸入膜厚數(shù)據(jù)計(jì)算電阻率分布，靈活適配不同分析需求。
數(shù)據(jù)采集與可視化RSMapper軟件集成數(shù)據(jù)采集與強(qiáng)大分析功能，直觀可視化界面，輕松設(shè)置測(cè)量點(diǎn)，支持離線使用。
測(cè)量數(shù)據(jù)展示
典型薄膜電阻分布圖 & Mapping可視化結(jié)果
客戶(hù)評(píng)價(jià)
“KLA R50的雙模技術(shù)極大簡(jiǎn)化了我們晶圓廠金屬膜電阻的測(cè)量流程。EC非接觸方式保護(hù)了軟質(zhì)金屬層，4PP則用于高精度表征，RSMapper的電阻分布圖非常直觀?！?/p>
—— 半導(dǎo)體晶圓制造廠 良率工程部
“用于化合物半導(dǎo)體離子注入均勻性監(jiān)控，R50的邊界效應(yīng)校正功能讓邊緣die的測(cè)量數(shù)據(jù)更可靠，重復(fù)性極佳，是我們工藝控制的得力工具。”
—— 化合物半導(dǎo)體廠商 工藝整合
常見(jiàn)問(wèn)題
4PP和EC兩種模式如何選擇？+
4PP適用于較薄金屬膜(>10Ω/sq)和離子注入層，精度更高；EC適用于較厚高導(dǎo)電金屬膜、軟質(zhì)表面或易氧化材料，非接觸式測(cè)量不損傷樣品。兩種模式結(jié)果高度相關(guān)，可互為驗(yàn)證。
R50支持最大樣品尺寸是多少？+
配置200mm XY電動(dòng)平臺(tái)，支持最大200mm×200mm樣品（如8英寸晶圓），Z軸行程60mm可自動(dòng)聚焦，承重2.5kg。
邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正有什么作用？+
靠近樣品邊緣測(cè)量時(shí)，電流分布會(huì)受影響導(dǎo)致電阻測(cè)量偏差。邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正自動(dòng)補(bǔ)償邊緣效應(yīng)，確保從中心到邊緣的測(cè)量數(shù)據(jù)一致準(zhǔn)確。
可以自定義測(cè)量點(diǎn)位嗎？+
可以。RSMapper軟件支持矩形、線性、極坐標(biāo)等多種預(yù)設(shè)模式，也支持用戶(hù)自定義無(wú)限數(shù)量測(cè)量點(diǎn)，數(shù)分鐘內(nèi)完成配方建立。
R50可以測(cè)量薄膜厚度嗎？+
可以間接測(cè)量。輸入已知材料的電阻率，R50可通過(guò)電阻值計(jì)算薄膜厚度分布；反之輸入厚度可計(jì)算電阻率分布，適用于導(dǎo)電薄膜的厚度監(jiān)控。
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